VDE 0126-18-100 : DRAFT 2008

Vorwort
1 Anwendungsbereich
2 Normative Verweisungen
3 Begriffe
4 Kristallisationsverfahren
5 Produktbeschreibung
   5.1 Angaben zu Abmessungen
   5.2 Elektrische Kenngrössen
   5.3 Oberflächen- und Kanteneigenschaften
   5.4 Chemische Eigenschaften
   5.5 Kristalleigenschaften
6 Verpackung, Kennzeichnung und Lagerung
   6.1 Verpackung
   6.2 Kennzeichnung
   6.3 Lagerung
7 Wesentliche Änderungen am Produkt und am Prozess
8 Scheibendicke
   8.1 Anwendungsbereich
   8.2 Normative Verweisungen
   8.3 Begriffe
   8.4 Einheiten
   8.5 Messeinrichtung
   8.6 Justierung und Kalibrierung
   8.7 Messung
   8.8 Auswertung
   8.9 Prüfbericht
   8.10 Präzision des Verfahrens
9 Dickenvariation (TTV[PV])
   9.1 Anwendungsbereich
   9.2 Normative Verweisungen
   9.3 Begriffe
   9.4 Einheiten
   9.5 Messeinrichtung
   9.6 Justierung und Kalibrierung
   9.7 Messung
   9.8 Auswertung
   9.9 Prüfbericht
   9.10 Präzision des Verfahrens
10 Welligkeit und Durchbiegung
   10.1 Anwendungsbereich
   10.2 Normative Verweisungen
   10.3 Begriffe
   10.4 Vereinbarungen
   10.5 Prüfbericht
11 Rillen und Stufen
   11.1 Anwendungsbereich
   11.2 Begriffe
   11.3 Einheiten
   11.4 Vereinbarungen
   11.5 Messgeräte
   11.6 Messplan
   11.7 Prüfbericht
12 Alkalische Damageätze von kristallinen Siliciumscheiben -
   Methode zur Bestimmung der Ätzrate von mono- und
   multi-kristallinen Siliciumscheiben (as cut) für
   Photovoltaik Ätzrate
   12.1 Anwendungsbereich
   12.2 Begriffe
   12.3 Durchführung
   12.4 Auswertung
   12.5 Prüfbericht
13 Verfahren zur Bestimmung Ladungsträgerlebensdauer
   gemessen an as cut Scheiben
   13.1 Anwendungsbereich
   13.2 Bestimmung der Ladungsträgerlebensdauer
   13.3 Allgemeine Messbedingungen
   13.4 Auswertung
   13.5 Prüfbericht
14 Verfahren zur Bestimmung der
   Masse-Minoritätsladungsträgerlebensdauer
   an passivierten Scheiben (Labormessmethode)
   14.1 Anwendungsbereich
   14.2 Bestimmung der Ladungsträgerlebensdauer
   14.3 Auswertung
   14.4 Prüfbericht
15 Elektrischer Widerstand von multi- und monokristallinen
   Halbleiterscheiben
   15.1 Anwendungsbereich
   15.2 Normative Verweisungen
   15.3 Begriffe
   15.4 Einheiten
   15.5 Messeinrichtungen
   15.6 Kalibrierung
   15.7 Probengrössen
   15.8 Messung von Siliciumscheiben
   15.9 Prüfbericht
16 Verfahren zur Messung des Gehaltes von an als
   Substitutionsatome eingelagertem Kohlenstoff
   und interstitiell gelöstem Sauerstoff in
   Silicium für Solarmaterial
   16.1 Anwendungsbereich
   16.2 Normative Verweisungen
   16.3 Begriffe
   16.4 Einheiten
   16.5 Vereinbarungen
   16.6 Messung
   16.7 Prüfbericht
Anhang A (informativ) Geometrische Dimensionen,
         Oberflächen und Kanteneigenschaften
Anhang B (informativ) Optionale Anforderungen
Literaturhinweise