DIN V VDE V 0126-18-4-2 : 2007
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SOLAR WAFERS - PART 4-2: PROCESS FOR MEASURING THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF SILICON - MINORITY CARRIER LIFETIME, LABORATORY MEASURING METHOD
Published date
01-12-2013
Publisher
Superseded date
12-01-2009
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Das Verfahren nach dieser Norm dient dazu, die effektive Lebensdauer von optisch erzeugten Überschussladungsträgern als effektive Minoritätsladungsträgerlebensdauer von kristallinen Siliciumscheiben zu bestimmen. Die Methode wird für Messungen in der Fertigungslinie (Inline) empfohlen.
| DocumentType |
Standard
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| PublisherName |
Verband Deutscher Elektrotechniker
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| Status |
Superseded
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| SupersededBy |
| Standards | Relationship |
| VDE 0126-18-4-2 : 2007 | Identical |
Summarise
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